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材料結構與物性研究 版權信息
- ISBN:9787502476953
- 條形碼:9787502476953 ; 978-7-5024-7695-3
- 裝幀:平裝-膠訂
- 冊數:暫無
- 重量:暫無
- 所屬分類:>
材料結構與物性研究 內容簡介
本書采用基于密度泛函理論的**性原理計算方法對半導體材料Si、二元半導體化合物(BiI3、Li3Bi、Sbl3、Asl3)和過渡金屬化合物(Mo2BC、Mo3Al2C)在高壓下的結構、力學和電子性質進行了系統的研究。全書共分10章,第1章為緒論部分,第2章是First-Principles(**性原理)計算的理論方法,第3章是計算程序Materials Studio簡介,第4章介紹了半導體化合物BiI3的晶體結構、彈性性質、電子性質和高壓下的結構相變,第5章、第6章和第7章分別介紹了高壓下Li3Bi、SbI3和AsI3的晶體結構、彈性性質和電子性質,第8章和第9章介紹了過渡金屬化合物Mo2Bc、Mo3Al2C的晶體結構、彈性性質和電子性質,第10章分析了單晶si的晶體結構、彈性性質和電子性質。
本書可供從事**性原理計算研究的學者和其他從事新材料研究和開發的技術人員閱讀,也可供相關專業從事新材料工程應用的技術人員學習參考。同時,本書也可作為高等院校材料、物理、化學、電子等相關專業本科和研究生的學習參考書。
材料結構與物性研究 目錄
1.1 高壓對材料物性的影響
1.2 材料在高壓下的結構相變和電子相變
1.3 BiI3和Li3Bi的研究現狀
1.4 本書的主要內容和意義
參考文獻
2 理論研究方法
2.1 引言
2.2 密度泛函理論簡介
2.2.1 Bom-Oppenheimer絕熱近似
2.2.2 Hartree-Fock近似
2.2.3 Hohenberg-Kohn定理
2.2.4 Kohn-Sham方程
2.2.5 常用的交換關聯函數
2.2.6 布洛赫定理
2.2.7 平面波基矢
2.3 贗勢
2.4 彈性常數的計算
2.5 計算程序簡要介紹
參考文獻
3 MaterialsStudio簡介
3.1 MaterialsStudio與CASTEP
3.1.1 新建工程
3.1.2 創建晶體結構
3.1.3 CASTEP計算
3.1.4 分析結果
3.2 計算實例
3.2.1 制作Si表面
3.2.2 電荷密度圖
3.2.3 光譜計算
3.2.4 磁性計算
3.2.5 聲子譜
參考文獻
4 高壓下BiI3物性的性原理研究
4.1 BiI3的研究現狀
4.2 計算參數選擇
4.3 BiI3結構模型的性原理研究
4.3.1 BiI3穩定結構的確定
4.3.2 BiI3的彈性特征
4.3.3 BiI3在壓力下的結構相變
4.3.4 8iI3的電子結構特征
4.4 本章總結
參考文獻
5 高壓下Li3Bi物性的性原理研究
5.1 Li3Bi的研究現狀
5.2 計算細節
5.3 結果與討論
5.3.1 Li3Bi穩定結構的確定
5.3.2 Li3Bi的彈性特征
5.3.3 L13Bi電子結構特征
5.4 本章總結
參考文獻
6 SbI3結構和力學性質的性原理計算
6.1 SbI3的研究現狀
6.2 計算細節
6.3 結果與討論
6.4 本章總結
參考文獻
……
7 AsI3電子結構與彈性性質的性原理研究
8 Mo2BC彈性性質和電子性質的性原理研究
9 Mo3Al2C彈性性質和電子性質的性原理研究
10 Si的結構、力學和電子性質的性原理計算
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