1 導(dǎo)論：各種形式的硅
　1.1 引言
　1.2 從20世紀(jì)60年代到70年代初：能帶
　1.3 20世紀(jì)70年代：應(yīng)用于硅的表面理論
　1.4 20世紀(jì)80年代：硅的結(jié)構(gòu)能
　1.5 20世紀(jì)90年代：硅團(tuán)簇與量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)
　1.6 未來展望
　參考文獻(xiàn)
**部分 半導(dǎo)體體硅晶體
　2 硅：半導(dǎo)體材料
　　2.1 引言
　　2.2 早期歷史
　　2.3 硅研究中的競爭與合作
　　2.4 *初的器件應(yīng)用
　　2.5 mos技術(shù)和集成
　　2.6 結(jié)論
　　參考文獻(xiàn)
　3 硅：一個工業(yè)奇跡
　　3.1 引言
　　3.2 主要制程
　　3.3 硅材料生產(chǎn)工藝
　　參考文獻(xiàn)
第二部分 多晶硅
　4 電子器件用多晶硅薄膜
　　4.1 引言
　　4.2 多晶硅薄膜分類
　　4.3 多晶硅生長和微晶結(jié)構(gòu)
　　　4.3.1 cvd多晶硅
　　　4.3.2 非晶硅晶化的多晶硅
　　　4.3.3 cvd多晶硅晶界化學(xué)
　　　4.3.4 多晶硅的摻雜
　　4.4 多晶硅的電性能
　　4.5 結(jié)論　
　　參考文獻(xiàn)
　5 光伏用硅
　　5.1 引言
　　5.2 光伏用硅材料
　　　5.2.1 不同生產(chǎn)工藝的歷史與現(xiàn)狀
　　　5.2.2 薄膜沉積工藝
　　5.3 光伏硅的輸運(yùn)特性
　　　5.3.1 缺陷及雜質(zhì)對硅輸運(yùn)性質(zhì)的影響
　　　5.3 .2吸除改善材料性能
　　5.4 硅太陽電池
　　　5.4.1 硅太陽電池技術(shù)與其他技術(shù)的比較
　　　5.4.2 多晶硅太陽電池技術(shù)
　　5.5 結(jié)論
　　參考文獻(xiàn)
第三部分 外延，薄膜和多孔層
　6 分子束外延薄膜
　　6.1 設(shè)備原理和生長機(jī)理
　　6.2 歷史概述；
　　6.3 應(yīng)變異質(zhì)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性
　　　6.3.1 應(yīng)變層的臨界厚度
　　　6.3.2 亞穩(wěn)態(tài)膺晶生長
　　　6.3.3 器件結(jié)構(gòu)的加工和退火
　　6.4 硅mbe生長膜中摻雜劑的分布
　　　6.4.1 摻雜問題
　　　6.4.2 突變和δ型摻雜分布
　　6.5 半導(dǎo)體器件研究
　　　6.5.1 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（hbt）
　　　6.5.2 sigemosfet和modfet
　　　6.5.3 垂直mosfet結(jié)構(gòu)
　　6.6 若干研究重點(diǎn)介紹
　　　6.6.1 級聯(lián)激光器
　　　6.6.2 表面結(jié)構(gòu)
　　　6.6.3 自組織和有序化
　　6.7 結(jié)論
　　參考文獻(xiàn)
　7 氫化非晶硅（a-si：h）
　　7.1 引言
　　7.2 a-si的制備和結(jié)構(gòu)性質(zhì)
　　7.3 a-si：h的電學(xué)性質(zhì)
　　7.4 光致發(fā)光和光電導(dǎo)
　　7.5 亞穩(wěn)態(tài)
　　7.6 a-si太陽電池
　　參考文獻(xiàn)
第四部分 品格缺陷
第五部分 硅摻雜
第六部分 某些雜質(zhì)的作用
第七部分 器件
第八部分 對硅的補(bǔ)充：化合物半導(dǎo)體
第九部分 新的研究領(lǐng)域
list of contribrtors