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半導體物理學:上冊 版權信息
- ISBN：9787312052392
- 條形碼：9787312052392 ; 978-7-312-05239-2
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
半導體物理學:上冊 本書特色
（1）英文原版是國際經典著作，中文版根據英文版第4版（2021年）翻譯。 （2）內容豐富（24章正文 11個附錄），圖文并茂（1000多張圖表 26面彩插），參考資料翔實（約2200篇參考文獻）。 （3）涵蓋半導體物理學的歷史沿革、基本知識、專題討論以及半導體的應用和器件。 （4）無需固體物理學和量子力學的基礎即可學習本書，適合本科生和研究生，也可作為半導體科技人員的參考書。
半導體物理學:上冊 內容簡介
本書介紹了半導體物理和半導體器件，包括固體物理、半導體物理、各種半導體器件的概念及其在電子學和光子學中的現代應用。全書包括三部分內容：半導體物理學的基礎知識（第1—10章）、專題（第11—20章）與半導體的應用和器件（第21—24章）。 第1章介紹半導體物理學的歷史沿革，按照時間順序給出歷史上半導體相關的重要時刻和事件。第2—10章講述半導體物理學的基礎知識，包括：化學鍵、晶體、缺陷、力學性質、能帶結構、電子的缺陷態(tài)、輸運性質、光學性質、復合過程。 第11—20章是專題，包括：表面、異質結構、二維半導體、納米結構、外場、極性半導體、磁性半導體、有機半導體、介電結構、透明導電的氧化物半導體。 第21—24章是半導體的應用和器件，包括：二極管、電光轉換器件、光電轉換器件、晶體管。 本書內容豐富（除了24章正文以外，還有11個附錄），圖文并茂（大約有1000張圖片和表格），參考資料豐富（大約有2200篇參考文獻），經過多年教學實踐的檢驗，是一本優(yōu)秀的教科書。本書可以在沒有或者只有很少固體物理學和量子力學知識的基礎上學習，適合研究生和高年級本科生學習，也可以作為半導體科研人員的參考書。
半導體物理學:上冊 目錄
譯者的話
前言
縮寫
符號
物理常量
第1章 簡介
1.1 大事年表
1.2 諾貝爾獎得主
1.3 一般信息
第1部分 基礎知識
第2章 鍵
2.1 簡介
2.2 共價鍵
2.3 離子鍵
2.4 混合鍵
2.5 金屬鍵
2.6 范德華鍵
2.7 固體的哈密頓算符
第3章 晶體
3.1 簡介
3.2 晶體結構
3.3 格子
3.4 重要的晶體結構
3.5 多型性
3.6 倒格子
3.7 合金
第4章 結構缺陷
4.1 簡介
4.2 點缺陷
4.3 位錯
4.4 擴展的缺陷
4.5 無序
第5章 力學性質
5.1 簡介
5.2 晶格振動
5.3 彈性
5.4 塑性
第6章 能帶結構
6.1 簡介
6.2 周期勢里的電子
6.3 一些半導體的能帶結構
6.4 半導體帶隙的分類
6.5 合金半導體
6.6 非晶半導體
6.7 帶隙的溫度依賴關系
6.8 帶隙的同位素依賴關系
6.9 電子的色散關系
6.10 空穴
6.11 能帶反轉
6.12 應變對能帶結構的影響
6.13 態(tài)密度
第7章 電子的缺陷態(tài)
7.1 簡介
7.2 載流子密度
7.3 本征電導
7.4 摻雜
7.5 淺缺陷
7.6 準費米能級
7.7 深能級
7.8 電荷中性能級
7.9 半導體里的氫
第8章 輸運
8.1 簡介
8.2 電導率
8.3 低場輸運
8.4 高場輸運
8.5 高頻輸運
8.6 雜質帶輸運
8.7 極化子
8.8 跳躍輸運
8.9 非晶半導體里的輸運
8.10 離子輸運
8.11 擴散
8.12 連續(xù)性方程
8.13 熱傳導
8.14 熱和電荷的耦合輸運
第9章 光學性質
9.1 光譜區(qū)和概述
9.2 復介電函數
9.3 反射和折射
9.4 吸收
9.5 由光學聲子導致的介電函數
9.6 電子光子相互作用
9.7 帶帶躍遷
9.8 雜質吸收
9.9 有自由電荷載流子存在時的吸收
9.10 晶格吸收
第10章 復合
10.1 簡介
10.2 帶帶復合
10.3 激子復合
10.4 聲子伴線
10.5 自吸收
10.6 施主受主對的躍遷
10.7 內雜質復合
10.8 俄歇復合
10.9 能帶雜質復合
10.10 ABC模型
10.11 場效應
10.12 擴展缺陷處的復合
10.13 過剩載流子的分布
第2部分 專題
第11章 表面
11.1 簡介
11.2 表面晶體學
11.3 表面能
11.4 表面的重構
11.5 表面的形貌
11.6 表面的物理性質
第12章 異質結構
12.1 簡介
12.2 異質外延
12.3 異質結構里的能級
12.4 量子阱里的復合
12.5 同位素超晶格
12.6 晶片鍵合
第13章 二維半導體
13.1 石墨烯和相關材料
13.2 二維化合物半導體
13.3 范德華異質結構
第14章 納米結構
14.1 簡介
14.2 量子線
14.3 碳納米管
14.4 量子點
第15章 外場
15.1 電場
15.2 磁場
展開全部
半導體物理學:上冊 作者簡介
Marius Grundmann，德國萊比錫大學物理學教授，研究領域包括薄膜、納米結構、基于氧化物材料和碘化銅的透明器件、異質結構和微腔。 姬揚，博士，研究員，博士生導師。在中國科學技術大學獲得學士和碩士學位，1998年在中國科學院半導體研究所獲得理學博士學位，在以色列魏茲曼研究所做了4年博士后。自2002年起，在中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室工作，從事半導體自旋物理學方面的實驗研究。發(fā)表過多篇學術論文，已經翻譯出版過5本學術著作和1本社科著作。
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