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極紫外光刻

包郵 極紫外光刻

出版社:上海科學技術出版社出版時間:2022-09-01
開本: 16開 頁數: 224
本類榜單:工業技術銷量榜
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極紫外光刻 版權信息

  • ISBN:9787547857212
  • 條形碼:9787547857212 ; 978-7-5478-5721-2
  • 裝幀:80g膠版紙
  • 冊數:暫無
  • 重量:暫無
  • 所屬分類:>

極紫外光刻 本書特色

適讀人群 :芯片制造、半導體設備、光刻技術等相關方面的技術和管理人員,集成電路、微納電子、光電工程等專業本科生,以及短波光學、激光與物質相互作用、激光等離子體、極紫外光輻射等領域的研究生和專業研究人員1. 本書概況 極紫外光刻是光刻里*先進的技術,它是7nm及以下芯片制造的*核心的技術關鍵。本書綜合地介紹了極紫外光刻技術相關聯的各個重要方面及其發展歷程,不僅論述了極紫外光源、極紫外光刻曝光系統、極紫外掩模板、極紫外光刻膠、極紫外計算光刻的技術內容,而且還討論了極紫外光刻生態系統的其他重要方面。 2.本書特色 (1)本書是一本論述極紫外光刻技術的Z新的專著,有關極紫外光刻技術許多Z新的研發內容都有所介紹和討論。 (2)目前尚沒有一本中文版的有關極紫外光刻技術的專門論著或譯著,對于從事芯片領域的從業技術人員,這是一本非常及時且內容豐富的參考書。 (3)本書從內容上看新穎又全面,從形式上看詳實又精煉。

極紫外光刻 內容簡介

本書是一本論述極紫外光刻技術的近期新的專著,該書綜合地介紹了極紫外光刻技術相關聯的各個重要方面及其發展歷程,不但論述極紫外光源、極紫外光刻曝光系統、極紫外掩模版、極紫外光刻膠、極紫外計算光刻的技術內容,還討論了極紫外光刻生態系統的其他重要方面,如極紫外光刻工藝特點和控制,極紫外光刻量測的特殊要求,極紫外光刻的成本計算,作者*后還討論了極紫外光刻未來的各種延伸技術。

極紫外光刻 目錄

第1章 緒論

1.1 光刻技術的歷史背景/1

1.2 光刻技術的組成部分 /3

1.3 材料考量和多層膜反射鏡/4

1.4 一般性問題 /11

習題/12

參考文獻/12

第2章 EUV光源

2.1 激光等離子體光源/15

2.2 放電等離子體光源/28

2.3 自由電子激光器/32

習題/36

參考文獻/36

第3章 EUV光刻曝光系統

3.1 真空中的EUV光刻/40

3.2 照明系統 /45

3.3 投影系統/47

3.4 對準系統/52

3.5 工件臺系統/53

3.6 聚焦系統 /54

習題/55

參考文獻/56

第4章 EUV掩模

4.1 EUV掩模結構/60

4.2 多層膜和掩模基板缺陷/66

4.3 掩模平整度和粗糙度/71

4.4 EUV掩模制作/74

4.5 EUV掩模保護膜/75

4.6 EUV掩模放置盒/83

4.7 其他EUV掩模吸收層與掩模架構/85

習題/88

參考文獻/88

第5章 EUV光刻膠

5.1 EUV化學放大光刻膠的曝光機制/95

5.2 EUV光刻中的隨機效應/98

5.3 化學放大光刻膠的新概念/108

5.4 金屬氧化物EUV光刻膠/110

5.5 斷裂式光刻膠/111

5.6 真空沉積光刻膠/111

5.7 光刻膠襯底材料/113

習題/114

參考文獻/115

第6章 EUV計算光刻

6.1 傳統光學鄰近校正的考量因素/121

6.2 EUV掩模的三維效應/125

6.3 光刻膠的物理機理/133

6.4 EUV光刻的成像優化/135

習題/138

參考文獻/139

第7章 EUV光刻工藝控制

7.1 套刻/144

7.2 關鍵尺寸控制/149

7.3 良率 / 151

習題/155

參考文獻/156

第8章 EUV光刻的量測

8.1 掩模基板缺陷檢測/160

8.2 EUV掩模測評工具/163

8.3 量產掩模驗收工具/165

8.4 材料測試工具/168

習題/169

參考文獻/170

第9章 EUV光刻成本

9.1 晶圓成本 /173

9.2 掩模成本/181

習題/182

參考文獻/182

第10章 未來的EUV光刻

10.1 k【能走多低/184

10.2 更高的數值孔徑/186

10.3 更短的波長/193

10.4 EUV多重成形技術/194

10.5 EUV光刻的未來/195

習題/195

參考文獻/196

索 引


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極紫外光刻 作者簡介

哈利??杰??萊文森(Harry J.Levinson),國際光學工程學會(SPIE)會士,HJL Lithography 的獨立光刻顧問和首席光刻師,專注于光刻領域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM擔任過職位。曾將光刻應用于許多不同的技術,包括雙極存儲器、64MB和256MB DRAM開發、專用集成電路芯片制造、磁記錄薄膜磁頭、閃存和先進邏輯芯片等。曾數年擔任美國光刻技術工作組主席,參與制定了《國際半導體技術路線圖》中有關光刻技術的章節。他是硅谷首批SVG-5倍步進式光刻機的用戶之一,也是248nm、193nm和極紫外光刻的早期參與者;撰寫的著作還有:《光刻工藝控制》《光刻原理》,擁有70多項美國專利。

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